6-8-12寸晶圓等離子清洗機

產(chǎn)品型號：NE-PE20F
性能特點：體積小巧，清洗效率高
產(chǎn)品用途：12寸及以下晶圓清洗活化

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產(chǎn)品介紹
產(chǎn)品參數(shù)

NE-PE20F晶圓等離子清洗機是一款機型緊湊，占地面積小，但處理效率高的表面等離子體清洗設備，適用于12寸及以下晶圓清洗，其工作原理為在接近真空的環(huán)境下，通過射頻電源使內部殘余氣體分子電離，產(chǎn)生等離子體，這些等離子體在電場下加速，之后做高速運動，和被清洗的晶圓表面發(fā)生物理碰撞，將表面的污染物去除。等離子體清洗不但可以清洗晶圓表面，還可以提高表面活性，提高材料表面粘接能力，提高焊接能力，親水性等，這種清洗技術在去膠工藝中具有操作方便、效率高、表面干凈、無劃傷等特點，優(yōu)勢十分明顯。

視頻展示：

工藝能力：
晶圓尺寸：8-12寸及以下（含不規(guī)則）
晶圓材料：SOI、SI、玻璃、銅片等其他半導體材料
正性及負性光刻膠去膠。
SU-8負性光刻膠去膠。
聚酰亞胺光刻膠（PI）去膠。
有機物去除。
基片表面等離子改性（02\Ar）

晶圓等離子清洗工藝流程
先將待清洗的半導體晶圓碼放在等離子清洗的清洗室內，對清洗室進行抽真空直至清洗室內的真空度達到設定值，然后充入工作氣并將清洗室內的真空度保持在設定值；開啟高頻電源，對清洗室內的氣體進行電離，對在清洗室內的半導體晶圓進行清洗；清洗完成后，關閉高頻電源，向清洗室內充入保護氣直至清洗室內的內氣壓達到常壓后，將清洗完成后的半導體晶圓從清洗室內取出。所述等離子清洗工藝能夠對光刻膠殘污有效去除，去除效果好，去污速率高，去污的均勻性能得到保證。

典型使用案例：
SU-8負性光刻膠去膠圖示
晶圓等離子清洗去膠圖示

等離子清洗測試數(shù)據(jù)：

晶圓等離子清洗原理：
等離子體是物質的一種存在狀態(tài)，是除了固體，液體和氣體之外的狀態(tài)，也可以稱作是物質的第四態(tài)。等離子體中含有多種物質：處于高速運動狀態(tài)的電子，處于激活狀態(tài)的原子、分子、原子團(自由基)，離子化的原子、分子，分子解離過程中生成的紫外線，未反應的原子、分子等。等離子體雖然仍保持電中性，但具有很高的物理化學反應活性。等離子清洗技術就是利用這些活性組分來清洗晶圓表面的。

等離子清洗包括物理反應和化學反應兩個方面：一方面利用高能粒子流轟擊晶圓表面，使晶圓表面吸附的雜質解吸；另一方面是利用活性粒子(如自由基)與晶圓表面的沾污發(fā)生化學反應并生成易揮發(fā)的物質，然后利用技術手段將生成的易揮發(fā)物質帶走，其中氧離子可以將有機污染物氧化，其產(chǎn)物以二氧化碳和水蒸氣的形式排出。常用于清洗的等離子體有NF3、H2及Ar等，利用這些等離子體可以實現(xiàn)多種類型污染物的有效清洗。

等離子體清洗具有許多優(yōu)點：
(1) 工藝簡單、操作方便：清洗過程不需要清洗液的參與，因此省略了濕法清洗的相關操作；
(2) 綠色環(huán)保：清洗過程中沒有廢液和廢水處理，不會對環(huán)境造成污染；
(3) 適應范圍廣：既能對有機材料也能對無機材料進行清洗；
(4)清洗效果好：

晶圓等離子清洗機常用于去除晶圓表面處理上的微粒、徹底去除光刻膠和其他有機物、活化及粗化晶圓表面、提高晶圓表面浸潤性等，等離子清洗機在晶圓表面處理上的處理效果明顯，目前在晶圓加工中普遍使用。

型號	NE-PE20F晶圓等離子清洗機
容積	約20L
等離子發(fā)生器頻率	13.56MHz
質量流量計	0-50cc/min
真空傳感器	愛發(fā)科皮拉尼真空計
設備應用	去膠清洗活化處理
控制系統(tǒng)	PLC 控制系統(tǒng)，觸摸屏全自動控制
氣體通道	2路工藝氣體通道，可通氧氣、氬氣等
射頻系統(tǒng)	0-300W，自動抗阻抗匹配
腔體尺寸	380(L)×375(D) ×150(H)mm
外形尺寸	645mm(L)×574mm(W) ×655 mm(H)

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