等離子體清洗技術(shù)分類

文章出處：等離子清洗機廠家 | 深圳納恩科技有限公司| 發(fā)表時間：2023-07-31

等離子體是一種經(jīng)過電離后的特殊氣體狀態(tài)，組成這種電離氣體的主要成分有激發(fā)態(tài)的原子或分子、中性的原子或分子和離化的原子或分子。

等離子體清洗技術(shù)的基本原理主要是利用放電擊穿氣體時所產(chǎn)生的高能量活化等自由基（正離子、負(fù)離子、電子、光子、激發(fā)態(tài)的分子、基態(tài)分子等）直接作用于被清洗物質(zhì)表面并與吸附化合物發(fā)生物理、化學(xué)作用而達到清潔表面的目的。

等離子體清洗技術(shù)分類

等離子體清洗技術(shù)可以根據(jù)等離子體的放電方式（CCP、ICP、ECR）分為CCP等離子體清洗技術(shù)、ICP等離子體清洗技術(shù)、ECR等離子體清洗技術(shù)。

CCP等離子體清洗技術(shù)原理
容性耦合放電（CCP）最初產(chǎn)生用于工業(yè)生產(chǎn)的薄膜沉積和等離子體刻蝕，其主要結(jié)構(gòu)為兩個平行極板（陽極板和陰極板），一平行極板加13.56MHz的射頻電流，另一平行極板接地，射頻能量主要通過兩極板的電勢差耦合到等離子體中，使其電離。但容性耦合的電離率很低，因此等離子體密度（電子密度）一般為10¹⁴-10¹⁶m^-3，電子溫度在2-4eV之間。

ICP等離子體清洗技術(shù)原理
ICP又叫電感耦合等離子體，其利用感生電磁場（感性耦合）放電方式獲得的等離子體密度往往比電勢差（容性耦合）放電方式獲得的等離子體密度要高，通常電子密度在10¹⁶m^-3-10¹⁸m^-3區(qū)間內(nèi)，電子溫度在2-4ev區(qū)間內(nèi)。在感性耦合放電模式（H模式）中，射頻能量主要通過通電線圈饋入到等離子體中，此時容性耦合放電方式的電勢差不占主導(dǎo)，而通過通電線圈產(chǎn)生的感生電磁場激發(fā)等離子體。

ECR等離子體清洗技術(shù)原理
微波加熱放電方式常見的是ECR放電（電子回旋共振放電）。其主要放電原理為射頻能量以電磁波的方式耦合到等離子體中。例如ECR等離子體放電中，在磁場作用下，電磁波在等離子體中傳播，最后電磁波能量被等離子體吸收，ECR所需要的磁場條件為幾千高斯、所需的頻率為GHz量級。波加熱等離子體放電獲得等離子體具有高密度，低耗能的特性。其獲得的等離子體密度通常在10¹⁸m^-3-10²⁰m^-3范圍內(nèi)，電子溫度在1-4eV范圍中。

以上就是國產(chǎn)等離子清洗機廠家納恩科技關(guān)于等離子體清洗技術(shù)分類的介紹，以上分類依據(jù)是按照等離子體的放電方式不同而分類的，根據(jù)等離子體產(chǎn)生的壓力的不同，等離子體清洗技術(shù)還可分為低壓等離子體清洗技術(shù)和常壓等離子體清洗技術(shù)。